High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET **Introduction to the FS10AS-3-T13 Electronic Component**  

The FS10AS-3-T13 is a high-performance electronic component designed for efficient power management and switching applications. This device is part of a series of advanced semiconductor solutions that cater to modern electronic systems requiring reliability, compact form factors, and low power dissipation.  

Engineered for optimal performance, the FS10AS-3-T13 features fast switching capabilities, making it suitable for applications such as DC-DC converters, power supplies, and motor control circuits. Its robust design ensures stable operation under varying load conditions while minimizing energy losses, contributing to improved system efficiency.  

Key specifications of the FS10AS-3-T13 include a low on-resistance, high current handling capacity, and thermal stability, which enhance its durability in demanding environments. The component is typically housed in a surface-mount package, facilitating easy integration into densely populated circuit boards.  

Ideal for industrial, automotive, and consumer electronics, the FS10AS-3-T13 offers a balance of performance and cost-effectiveness. Designers and engineers can leverage its capabilities to develop energy-efficient solutions without compromising on reliability.  

For detailed technical parameters and application guidelines, referring to the manufacturer’s datasheet is recommended to ensure proper implementation in circuit designs.

High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET The **FS10AS-3-T13** is a high-performance electronic component designed for power management and switching applications. As part of the fast-switching diode series, it offers low forward voltage drop and fast recovery times, making it suitable for high-frequency circuits, rectification, and energy-efficient designs.  

Constructed with advanced semiconductor technology, the FS10AS-3-T13 ensures reliable operation under demanding conditions. Its compact surface-mount package (SMA) allows for efficient PCB integration, catering to space-constrained applications. With a robust current rating and thermal stability, this diode is well-suited for power supplies, inverters, and automotive electronics.  

Key features include a low leakage current, high surge capability, and excellent thermal performance, ensuring durability in high-temperature environments. Engineers and designers favor this component for its balance of efficiency and reliability, making it a practical choice for modern electronic systems.  

Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or consumer electronics, the FS10AS-3-T13 delivers consistent performance while meeting stringent industry standards. Its versatility and dependable characteristics make it a valuable addition to power electronics applications.

High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET The part FS10AS-3-T13 is manufactured by Renesas. Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: Renesas  
2. **Part Number**: FS10AS-3-T13  
3. **Type**: MOSFET  
4. **Technology**: N-Channel  
5. **Voltage Rating (VDS)**: 100V  
6. **Current Rating (ID)**: 10A  
7. **Power Dissipation (PD)**: 30W  
8. **Package**: TO-252 (DPAK)  
9. **RDS(ON)**: 0.13Ω (max) at VGS = 10V  
10. **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V  
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on the available datasheet for the FS10AS-3-T13 MOSFET by Renesas.