900V N-Channel QFET The **FQU2N90TU** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 900V and a continuous drain current (I_D) of 2A, this component is well-suited for high-voltage switching tasks, including power supplies, inverters, and industrial control systems.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQU2N90TU minimizes power losses, enhancing overall system efficiency. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for designers seeking durability and performance.  

The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing effective thermal dissipation while maintaining a compact footprint. Additionally, its gate charge and capacitance are optimized to reduce switching losses, further improving energy efficiency in high-frequency applications.  

Engineers and developers will appreciate the FQU2N90TU’s balance of high-voltage capability, low conduction losses, and thermal stability, making it a versatile solution for modern power electronics. Whether used in offline converters, motor drives, or lighting systems, this MOSFET delivers consistent performance and reliability.