900V N-Channel MOSFET The **FQU2N90** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 900V and a continuous drain current (I_D) of 2A, this component is well-suited for switching and amplification in high-voltage circuits.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQU2N90 enhances efficiency in power supplies, inverters, and motor control systems. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal performance and ease of mounting. Its high-voltage capability, combined with low gate charge, minimizes power losses, contributing to energy-efficient designs.  

Engineers value the FQU2N90 for its durability and consistent performance, particularly in applications requiring high-voltage switching. Whether used in offline power supplies or electronic ballasts, this component delivers dependable operation while maintaining thermal stability.  

Fairchild Semiconductor’s FQU2N90 exemplifies precision engineering, offering a balance of power handling, efficiency, and reliability for modern electronic systems.