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FQU2N90 from FAIRCHILD,Fairchild Semiconductor

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FQU2N90

Manufacturer: FAIRCHILD

900V N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQU2N90 FAIRCHILD 100 In Stock

Description and Introduction

900V N-Channel MOSFET The **FQU2N90** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 900V and a continuous drain current (ID) of 2A, this component is well-suited for switching and amplification in high-voltage circuits.  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the FQU2N90 enhances efficiency in power supplies, inverters, and motor control systems. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal performance and ease of mounting. Its high-voltage capability, combined with low gate charge, minimizes power losses, contributing to energy-efficient designs.  

Engineers value the FQU2N90 for its durability and consistent performance, particularly in applications requiring high-voltage switching. Whether used in offline power supplies or electronic ballasts, this component delivers dependable operation while maintaining thermal stability.  

Fairchild Semiconductor’s FQU2N90 exemplifies precision engineering, offering a balance of power handling, efficiency, and reliability for modern electronic systems.

Application Scenarios & Design Considerations

900V N-Channel MOSFET# FQU2N90 N-Channel Power MOSFET Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQU2N90 is a 900V N-Channel MOSFET designed for high-voltage switching applications where reliability and efficiency are paramount. This component excels in:

 Primary Applications: 
-  Switch-Mode Power Supplies (SMPS) : Particularly in flyback and forward converter topologies operating at 200-500kHz
-  Power Factor Correction (PFC) Circuits : Boost converter configurations for improving AC line power quality
-  Motor Drive Systems : Three-phase inverter drives for industrial motors up to 5HP
-  Lighting Ballasts : Electronic ballasts for fluorescent and HID lighting systems
-  DC-DC Converters : High-voltage input isolated converters for telecom and industrial applications

### Industry Applications
 Industrial Automation: 
- Programmable logic controller (PLC) power modules
- Industrial motor drives and servo controllers
- Welding equipment power supplies

 Consumer Electronics: 
- LCD/LED television power supplies
- Computer server power supplies
- High-end audio amplifier power stages

 Renewable Energy: 
- Solar microinverter power stages
- Wind turbine control systems
- Battery charging systems for electric vehicles

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Capability : 900V drain-source voltage rating enables operation in harsh line conditions
-  Fast Switching Speed : Typical rise time of 25ns and fall time of 45ns reduces switching losses
-  Low Gate Charge : Total gate charge of 28nC minimizes drive circuit requirements
-  Low On-Resistance : RDS(on) of 2.5Ω at 10V VGS provides efficient power handling
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against voltage spikes and inductive load switching

 Limitations: 
-  Gate Threshold Sensitivity : VGS(th) of 3.0-5.0V requires precise gate drive voltage control
-  Thermal Considerations : Maximum junction temperature of 150°C necessitates proper heatsinking
-  Parasitic Capacitance : Ciss of 650pF may cause Miller effect issues in high-speed switching
-  Cost Considerations : Higher voltage rating increases component cost compared to lower voltage alternatives

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues: 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and excessive power dissipation
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs (e.g., TC4420) capable of 1.5A peak output current
-  Pitfall : Gate oscillation due to layout inductance
-  Solution : Implement gate resistors (10-47Ω) and minimize gate loop area

 Thermal Management: 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Calculate power dissipation and select heatsink with thermal resistance < 15°C/W
-  Pitfall : Poor thermal interface material application
-  Solution : Use thermal pads or grease with thermal conductivity > 3W/mK

 Voltage Spikes: 
-  Pitfall : Drain-source voltage exceeding 900V during turn-off
-  Solution : Implement snubber circuits and ensure proper freewheeling diode selection

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers: 
- Compatible with most logic-level gate drivers (3.3V/5V compatible with margin)
- Avoid drivers with slow rise/fall times (>100ns)
- Ensure driver can handle Miller plateau current requirements

 Freewheeling Diodes: 
- Require fast recovery diodes (trr < 75ns) for high-frequency operation
- Voltage rating should exceed maximum system voltage by 20%
- Consider SiC diodes for highest efficiency applications

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