600V N-Channel MOSFET The part FQU2N60 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (仙童). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQU2N60.

600V N-Channel MOSFET **Introduction to the FQU2N60 Power MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FQU2N60 is a high-performance N-channel power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DSS) rating of 600V and a continuous drain current (I_D) of 2A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control circuits, and inverters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQU2N60 minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

The device is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal performance and ease of mounting. Additionally, its gate charge (Q_g) and input capacitance (C_iss) are optimized for high-speed switching, reducing switching losses in high-frequency applications.  

Engineers and designers value the FQU2N60 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in offline power supplies or energy-efficient lighting systems, this MOSFET delivers consistent performance while meeting stringent industry standards.

600V N-Channel MOSFET The part FQU2N60 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **FAI (First Article Inspection) Specifications for FQU2N60:**  
1. **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
2. **Type:** N-Channel MOSFET  
3. **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
4. **Current Rating (I_D):** 2A  
5. **Power Dissipation (P_D):** 38W  
6. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
7. **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.0Ω (max) at V_GS = 10V  
8. **Package Type:** TO-220F (Fully Insulated)  
9. **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
10. **Key Applications:** Switching power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

For exact FAI requirements, refer to the manufacturer’s datasheet or quality control documentation.