The **FQU17P06** from Fairchild Semiconductor is a P-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a **60V drain-source voltage (V_DSS)** and **17A continuous drain current (I_D)**, this component is well-suited for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  

Featuring **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching speeds**, the FQU17P06 minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its **TO-252 (DPAK) package** offers a compact footprint while ensuring effective thermal dissipation, making it ideal for space-constrained designs.  

Key specifications include a **gate threshold voltage (V_GS(th))** of -2V to -4V and a **maximum power dissipation (P_D)** of 45W, allowing reliable operation under demanding conditions. Additionally, the device is **avalanche-energy rated**, enhancing durability in high-stress environments.  

Engineers favor the FQU17P06 for its **robust performance, low conduction losses, and ease of integration** in various power electronics applications. Whether used in battery-powered systems or industrial automation, this MOSFET provides a dependable solution for efficient power handling.  

For detailed electrical characteristics and application guidelines, refer to the official datasheet.

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -68A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.055Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.