200V LOGIC N-Channel MOSFET The **FQT4N20L** from Fairchild Semiconductor is a robust N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 4A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring a low on-resistance (R_DS(on)) of 1.5Ω (typical), the FQT4N20L minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency in power conversion circuits. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while the logic-level gate drive ensures compatibility with low-voltage control signals.  

Encased in a TO-220AB package, the MOSFET offers excellent thermal performance, enabling reliable operation under demanding conditions. The device also incorporates built-in protection against electrostatic discharge (ESD), improving durability in sensitive environments.  

Engineers favor the FQT4N20L for its balance of performance, reliability, and cost-effectiveness. Whether used in DC-DC converters, motor drives, or LED lighting systems, this MOSFET provides a dependable solution for power electronics design. Its specifications and rugged construction make it a versatile choice for applications requiring efficient power handling and thermal stability.