The **FQT1N80TF-WS** is a high-performance N-channel MOSFET designed by **Fairchild Semiconductor**, a leader in power management solutions. This component is engineered to deliver efficient switching and robust performance in a wide range of applications, including power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

With a **drain-source voltage (V_DSS)** rating of **800V** and a **continuous drain current (I_D)** of **1A**, the FQT1N80TF-WS is well-suited for medium-power applications requiring high voltage tolerance. Its **low on-resistance (R_DS(on))** ensures minimal power loss, enhancing overall system efficiency.  

The MOSFET features a **fast switching speed**, making it ideal for high-frequency circuits. Additionally, its **avalanche energy specification** provides enhanced durability under transient voltage conditions. The device is housed in a **TO-252 (DPAK)** package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal performance.  

Designed with reliability in mind, the FQT1N80TF-WS adheres to industry standards, ensuring consistent operation in demanding environments. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this MOSFET delivers dependable performance for power management applications.  

Fairchild Semiconductor's commitment to quality ensures that the FQT1N80TF-WS meets rigorous performance and reliability expectations, making it a trusted choice for engineers worldwide.