300V N-Channel MOSFET The part FQPF9N30 is manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). It is an N-channel MOSFET with the following key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 9A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-220F (fully molded)  

The device is designed for high-speed switching applications, including power supplies and motor control.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQPF9N30.)

300V N-Channel MOSFET The FQPF9N30 is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 36A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typical)  
- **Package**: TO-220F (fully insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.

300V N-Channel MOSFET The FQPF9N30 is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 300V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 36A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.7Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)  
- **Package:** TO-220F  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQPF9N30 MOSFET.