800V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQPF8N80C is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 32A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220F (fully isolated)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQPF8N80C.