800V N-Channel Advance Q-FET C-Series The part **FQPF6N80C** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 800V  
- **Current Rating (I_D):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Package:** TO-220F  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (typical)  
- **Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

800V N-Channel Advance Q-FET C-Series The **FQPF6N80C** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 800V and a continuous drain current (I_D) of 6A, this component is well-suited for switching power supplies, inverters, and motor control circuits.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQPF6N80C enhances efficiency in high-voltage applications. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

The MOSFET is housed in a TO-220F package, providing excellent thermal performance and mechanical durability. Additionally, its avalanche energy specification enhances system reliability in inductive load environments.  

Engineers value the FQPF6N80C for its balance of performance, cost-effectiveness, and ease of integration into existing designs. Whether used in offline power supplies or lighting systems, this MOSFET delivers consistent performance while minimizing power losses.  

Fairchild Semiconductor's commitment to quality ensures that the FQPF6N80C meets stringent industry standards, making it a dependable solution for high-voltage switching applications.

800V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQPF6N80C is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typ)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.