800V N-Channel MOSFET The **FQPF6N80** is an N-channel MOSFET manufactured by **Fairchild Semiconductor** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 70ns (typ)  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications such as power supplies and motor control.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQPF6N80.)