60V N-Channel MOSFET The FQPF65N06 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
2. **Part Number**: FQPF65N06  
3. **Type**: N-Channel MOSFET  
4. **Voltage Rating (V_DSS)**: 60V  
5. **Current Rating (I_D)**: 65A (at 25°C)  
6. **R_DS(on)**: 0.024Ω (max) at V_GS = 10V  
7. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
8. **Power Dissipation (P_D)**: 170W (at 25°C)  
9. **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  
10. **Applications**: Power switching in automotive, industrial, and consumer electronics.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQPF65N06.

60V N-Channel MOSFET The FQPF65N06 is a N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 65A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 260A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 120nC (typical)  
- **Package**: TO-220F (fully insulated)  

This MOSFET is designed for high-power switching applications.

60V N-Channel MOSFET The FQPF65N06 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 65A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 260A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 110nC (typical)  
- **Package**: TO-220F  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQPF65N06.