60V N-Channel MOSFET The FQPF50N06 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are the key FAI (First Article Inspection) specifications from the datasheet:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 200A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 160W (at T_C = 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on))**: 0.022Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 25A)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 3900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 900pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 55ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typical)  
- **Package**: TO-220F  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for standard operating conditions (T_C = 25°C unless noted).