900V N-Channel MOSFET The FQPF4N90 is a Power MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 25pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 70ns  
- **Package**: TO-220F  

These specifications are based on typical operating conditions at 25°C unless otherwise noted.

900V N-Channel MOSFET The FQPF4N90 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.