800V N-Channel MOSFET The **FQPF4N80** is a power MOSFET manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.

800V N-Channel MOSFET The FQPF4N80 is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typical)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQPF4N80 MOSFET.