QFET P-CHANNEL The FQPF3P20 is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

1. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20V  
2. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.0A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -12A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W (at 25°C)  
6. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (max at V_GS = -4.5V, I_D = -3.0A)  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.0V to -2.5V  
8. **Total Gate Charge (Q_g)**: 8.0nC (typical at V_GS = -4.5V)  
9. **Package**: TO-220F (fully molded)  

This MOSFET is designed for low-voltage, high-speed switching applications.

QFET P-CHANNEL The FQPF3P20 is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

Key specifications:  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.0A  
- **R_DS(on) (Max)**: 120mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Package**: TO-220F (Fully isolated)  

This MOSFET is designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching.  

(Source: Fairchild Semiconductor/ON Semiconductor datasheet)