900V N-Channel MOSFET The FQPF3N90 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 12A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 750pF (typical)  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.

900V N-Channel MOSFET The FQPF3N90 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

**Typical Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- High-voltage circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact details, refer to the official documentation.