800V N-Channel Advance Q-FET C-Series The **FQPF3N80C** is a **N-Channel MOSFET** manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 12A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 8.5nC (typ)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2.0V to 4.0V  
- **Package**: TO-220F (Fully Molded)  

This MOSFET is designed for **switching applications**, including power supplies and inverters.  

(Source: Fairchild/ON Semiconductor datasheet)