700V N-Channel Q-FET The FQPF2N70 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 700V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.

700V N-Channel Q-FET The FQPF2N70 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

1. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 700V  
2. **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A  
4. **Power Dissipation (P_D)**: 38W  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
6. **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
8. **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typ)  
9. **Output Capacitance (C_oss)**: 30pF (typ)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typ)  
11. **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
12. **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typ)  
13. **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.