200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The part **FQPF19N20C** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 76A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FQPF19N20C MOSFET.

200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The part **FQPF19N20C** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 19A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  

This information is based solely on the provided knowledge base.