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FQPF12N60 from 仙童,Fairchild Semiconductor

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FQPF12N60

Manufacturer: 仙童

600V N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQPF12N60 仙童 40 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel MOSFET The FQPF12N60 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (仙童). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 48A  
- **Power Dissipation (PD)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.65Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg)**: 42nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 70ns (typical)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQPF12N60.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQPF12N60 FAIRCHILD 500 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel MOSFET The **FQPF12N60** is a **N-Channel MOSFET** manufactured by **FAIRCHILD**. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 48A  
- **Power Dissipation (PD)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.65Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg)**: 44nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 70ns (typ)  
- **Package**: TO-220F  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the **FQPF12N60**.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQPF12N60 FAIRCHIL 62 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel MOSFET The FQPF12N60 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 48A  
- **Power Dissipation (PD)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.65Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typical)  
- **Rise Time (tr)**: 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typical)  
- **Fall Time (tf)**: 25ns (typical)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQPF12N60.

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