60V P-Channel MOSFET The FQPF11P06 is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the key specifications from the manufacturer's datasheet:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -44A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.11Ω at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 280pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 90pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220F  

These specifications are based on the manufacturer's official datasheet.

60V P-Channel MOSFET The FQPF11P06 is a P-channel MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -11A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -44A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.11Ω (max at V_GS = -10V, I_D = -5.5A)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical at V_DS = -48V, I_D = -11A, V_GS = -10V)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

These specifications are based on FAIRCHILD's datasheet for the FQPF11P06.