600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The **FQPF10N60C** is a **600V, 10A N-Channel MOSFET** manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF (typ)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 42nC (typ)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Features:**
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  

This MOSFET is designed for **high-voltage, high-speed switching applications** such as power supplies, motor control, and inverters.  

(Source: Fairchild Semiconductor Datasheet)