IC Phoenix logo

Home ›  F  › F20 > FQPF10N20C

FQPF10N20C from FSC,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

FQPF10N20C

Manufacturer: FSC

200V N-Channel Advance Q-FET C-Series

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQPF10N20C FSC 714 In Stock

Description and Introduction

200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQPF10N20C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the key specifications from the manufacturer's datasheet:  

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Part Number:** FQPF10N20C  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.45Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These are the factual specifications provided in the manufacturer's datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQPF10N20C FAIRCHILD 150000 In Stock

Description and Introduction

200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQPF10N20C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 200V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 10A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 40A
- **Power Dissipation (PD)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.28Ω (max) at VGS = 10V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss)**: 300pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 60pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 10ns (typ)
- **Rise Time (tr)**: 30ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 55ns (typ)
- **Fall Time (tf)**: 25ns (typ)
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQPF10N20C MOSFET.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQPF10N20C FAI 66 In Stock

Description and Introduction

200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQPF10N20C is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
1. **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
2. **Continuous Drain Current (ID):** 10A (at 25°C)  
3. **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
4. **Power Dissipation (PD):** 75W (at 25°C)  
5. **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
6. **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω (max at VGS = 10V, ID = 5A)  
7. **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V to 4.0V  
8. **Input Capacitance (Ciss):** 650pF (typical)  
9. **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typical)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
11. **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
12. **Rise Time (tr):** 35ns (typical)  
13. **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
14. **Fall Time (tf):** 20ns (typical)  
15. **Package:** TO-220F (Fully Molded)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQPF10N20C.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips