300V N-Channel MOSFET The FQP9N30 is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 300V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 9A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 36A
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1000pF (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQP9N30.

300V N-Channel MOSFET The FQP9N30 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key IR (Infrared) specifications from the datasheet:

1. **Maximum Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 300V  
2. **Continuous Drain Current (I_D)**: 9A (at 25°C case temperature)  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 36A  
4. **Power Dissipation (P_D)**: 150W (at 25°C case temperature)  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
6. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.6Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 4.5A)  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
8. **Input Capacitance (C_iss)**: 1000pF (typical at V_DS = 25V, V_GS = 0V)  
9. **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF (typical at same conditions)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical at same conditions)  

These are the factual IR specifications for the FQP9N30 MOSFET.