250V N-Channel MOSFET The **FQP9N25** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 250V and a continuous drain current (I_D) of 9A, this component is well-suited for medium-power circuits, including DC-DC converters, motor controls, and power supplies.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 0.55Ω, the FQP9N25 ensures efficient power handling with minimal conduction losses. Its fast switching capability makes it ideal for high-frequency applications, while the robust TO-220 package provides excellent thermal performance, allowing for effective heat dissipation.  

The MOSFET incorporates an avalanche-rated design, enhancing reliability in demanding environments. Additionally, its gate charge (Q_g) and input capacitance (C_iss) are optimized to reduce drive requirements, simplifying circuit design.  

Engineers favor the FQP9N25 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this MOSFET delivers consistent operation under varying load conditions. Its specifications make it a dependable choice for designers seeking efficient power management solutions.

250V N-Channel MOSFET The FQP9N25 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 36A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to 150°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQP9N25.