600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The **FQP8N60C** is an N-channel MOSFET manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. Below are its key specifications:  

### **Electrical Characteristics:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 4A  

### **Switching Characteristics:**  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- High-voltage inverters  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the **FQP8N60C**.