60V N-Channel MOSFET The FQP85N06 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 85A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 340A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.011Ω (at V_GS = 10V, I_D = 42.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 130nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP85N06 MOSFET.

60V N-Channel MOSFET The FQP85N06 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.011Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 42.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical at V_DS = 48V, I_D = 85A, V_GS = 10V)  
- **Package:** TO-220  

This MOSFET is designed for high-power switching applications, such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQP85N06)