60V P-Channel MOSFET The **FQP7P06** is a P-channel MOSFET developed by Fairchild Semiconductor, designed for efficient power management in various electronic applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, making it suitable for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and other high-performance circuits.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of -60V and a continuous drain current (ID) of -7A, the FQP7P06 ensures reliable operation under demanding conditions. Its fast switching characteristics minimize power losses, enhancing overall system efficiency. Additionally, the MOSFET includes an intrinsic body diode, providing protection against reverse voltage spikes.  

The device is housed in a TO-220 package, offering robust thermal performance and ease of mounting on heat sinks for improved heat dissipation. Its gate drive requirements are compatible with standard logic levels, simplifying integration into existing designs.  

Engineers and designers often select the FQP7P06 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness, making it a practical choice for both industrial and consumer electronics applications. Its specifications and reliability align with the needs of modern power electronics, ensuring stable operation across a wide range of voltages and temperatures.

60V P-Channel MOSFET The FQP7P06 is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -28A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.25Ω at V_GS = -10V, I_D = -4.3A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 18nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for applications requiring high efficiency and low on-resistance in power switching circuits.