N-Channel QFET?FRFET?MOSFET 400V, 6A, 1.1? The FQP6N40CF is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 250pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.

N-Channel QFET?FRFET?MOSFET 400V, 6A, 1.1? The FQP6N40CF is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are the key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typical)  
- **Package**: TO-220F (fully insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.