800V N-Channel MOSFET The FQP5N80 is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP5N80.

800V N-Channel MOSFET The FQP5N80 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Voltage Rating (V_DSS)**: 800V  
- **Current Rating (I_D)**: 5A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Package**: TO-220  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.