60V N-Channel MOSFET The FQP55N06 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Part Number**: FQP55N06  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 220A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Package**: TO-220  

These are the key specifications as provided in the datasheet. No additional guidance or suggestions are included.

60V N-Channel MOSFET The FQP55N06 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 220A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 110nC (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP55N06.