250V P-Channel MOSFET The FQP4P25 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -25V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.12Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 10nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP4P25.

250V P-Channel MOSFET The FQP4P25 is a P-channel MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -25V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 40W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.085Ω (max at V_GS = -10V, I_D = -4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 12nC (typical at V_DS = -12.5V, V_GS = -10V)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 420pF (typical at V_DS = -12.5V, V_GS = 0V)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed application considerations, refer to the datasheet.