900V N-Channel MOSFET The FQP4N90 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 450pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 45pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 8pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns  
- **Rise Time (t_r)**: 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns  
- **Fall Time (t_f)**: 50ns  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP4N90 MOSFET.

900V N-Channel MOSFET The FQP4N90 is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 750pF (typical)  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.