800V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP3N80C is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 12A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typical)  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.

800V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP3N80C is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 12A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 75ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 25ns (typ)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP3N80C MOSFET.

800V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP3N80C is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

**Package:** TO-220AB  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.

800V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP3N80C is a Power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Voltage Rating (V_DSS)**: 800V  
- **Current Rating (I_D)**: 3A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.