800V N-Channel MOSFET The FQP3N80 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Here are the key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Package**: TO-220  

These are the factual specifications for the FQP3N80 as per Fairchild Semiconductor's datasheet.

800V N-Channel MOSFET The FQP3N80 is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 12A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 450pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 45pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 8pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 70ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP3N80.