100V N-Channel MOSFET The FQP33N10 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Part Number:** FQP33N10  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Package:** TO-220  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics and application notes, refer to the official documentation.

100V N-Channel MOSFET The FQP33N10 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 132A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.033Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 16.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 60nC (typical at V_DS = 80V, I_D = 33A, V_GS = 10V)  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-power switching applications.