250V N-Channel MOSFET The FQP27N25 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 27A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 110A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.075Ω (at V_GS = 10V, I_D = 13.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2100pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Package**: TO-247  

This MOSFET is designed for high-power switching applications.

250V N-Channel MOSFET The part **FQP27N25** is a MOSFET manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 250V  
- **Current Rating (I_D)**: 27A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W (at 25°C)  
- **R_DS(on)**: 0.075Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Package**: TO-220  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQP27N25 MOSFET.

250V N-Channel MOSFET The FQP27N25 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 27A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-220  

This information is based on the manufacturer's datasheet.