300V N-Channel MOSFET The FQP22N30 is a N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 22A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 88A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.11Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 11A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 80pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 20ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 100ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 50ns (typ)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP22N30 MOSFET.

300V N-Channel MOSFET The FQP22N30 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 88A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-247  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.