200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The part **FQP19N20C** is manufactured by **FAIRCHILD**. Here are its key specifications:  

- **Transistor Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 76A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.14Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on FAIRCHILD's datasheet for the **FQP19N20C** MOSFET.