100V LOGIC N-Channel MOSFET The FQP19N10L is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 900pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  
- **Package**: TO-220AB  

This MOSFET is designed for high-speed switching applications.

100V LOGIC N-Channel MOSFET The FQP19N10L is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 76A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-speed switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQP19N10L)