100V N-Channel MOSFET The FQP19N10 is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 76A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 80pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP19N10 MOSFET.