600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The part **FQP12N60C** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 50nC (typ)  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.