600V N-Channel MOSFET The FQP10N60 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.73Ω (at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 50nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns  
- **Rise Time (t_r)**: 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 70ns  
- **Fall Time (t_f)**: 25ns  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP10N60.