200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP10N20C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (at V_GS = 10V, I_D = 5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 750pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 140pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 40pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 55ns  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQP10N20C.

200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP10N20C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typ)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP10N20C.

200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP10N20C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP10N20C.

200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQP10N20C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1050pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 55ns  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP10N20C.