100V N-Channel QFET The **FQI7N10TU** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 100V and a continuous drain current (I_D) of 7A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching capabilities, the FQI7N10TU minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its compact TO-252 (DPAK) package ensures reliable thermal performance while maintaining a small footprint, making it ideal for space-constrained designs.  

The MOSFET incorporates advanced silicon technology to deliver robust performance under demanding conditions, including high-temperature environments. Additionally, its gate charge (Q_g) and threshold voltage (V_GS(th)) are optimized for compatibility with modern control circuits, ensuring smooth operation in both low- and high-frequency applications.  

Engineers and designers can rely on the FQI7N10TU for its durability, efficiency, and consistent performance, making it a practical choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications where power efficiency and reliability are critical.