The FQI5P10TU is a high-performance P-channel Power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of -100V and a continuous drain current (I_D) of -5.0A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQI5P10TU minimizes power losses, enhancing energy efficiency in circuits. Its compact TO-252 (DPAK) package ensures reliable thermal performance while maintaining a small footprint, making it ideal for space-constrained designs.  

The device incorporates advanced trench technology, providing robust performance under high-voltage conditions. Additionally, its strong avalanche capability and low gate charge contribute to improved reliability in demanding environments.  

Engineers and designers can leverage the FQI5P10TU for applications requiring precise power control, where efficiency and durability are critical. Its combination of high voltage tolerance, low conduction losses, and thermal stability makes it a dependable choice for modern power electronics.