800V N-Channel QFET The part **FQI4N80TU** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

### Key Specifications:  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 800V  
- **Current Rating (I_D):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Package:** TO-220F (isolated tab)  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0Ω @ 10V, 2.0A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  

This part is designed for high-voltage switching applications.  

*(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQI4N80TU.)*

800V N-Channel QFET The part **FQI4N80TU** is a **Power MOSFET** manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 18nC (typical)  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.