500V P-Channel QFET The **FQI3P50TU** from Fairchild Semiconductor is a high-performance P-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) of 50mΩ, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. With a drain-source voltage (VDS) rating of -30V and a continuous drain current (ID) of -3.5A, it is well-suited for switching and power regulation tasks in portable devices, power supplies, and motor control circuits.  

Built using advanced trench technology, the FQI3P50TU offers enhanced reliability and fast switching speeds, making it ideal for high-frequency applications. Its compact **TO-252 (DPAK)** package provides excellent thermal dissipation while maintaining a small footprint, crucial for space-constrained designs. Additionally, the MOSFET is RoHS-compliant, meeting modern environmental standards.  

Engineers favor the FQI3P50TU for its robustness, efficiency, and ease of integration into both new and existing designs. Whether used in battery protection circuits, DC-DC converters, or load switches, this MOSFET delivers consistent performance under demanding conditions. Its combination of low power dissipation and high current handling makes it a dependable choice for optimizing energy efficiency in power electronics.

500V P-Channel QFET The part **FQI3P50TU** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Part Number:** FQI3P50TU  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** -30V  
- **Current Rating (I_D):** -3.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.15Ω @ V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the FQI3P50TU. No additional interpretations or recommendations are provided.