900V N-Channel MOSFET The **FQI3N90** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 900V and a continuous drain current (I_D) of 3A, this component is well-suited for high-voltage switching circuits, including power supplies, inverters, and motor control systems.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQI3N90 minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

The MOSFET is housed in a TO-220F package, providing excellent thermal performance and ease of mounting. Additionally, its avalanche energy rating enhances durability in high-stress environments. Engineers and designers appreciate the FQI3N90 for its balance of performance, efficiency, and cost-effectiveness in power conversion applications.  

Whether used in offline switch-mode power supplies (SMPS) or energy-efficient lighting systems, the FQI3N90 delivers consistent performance, reinforcing Fairchild Semiconductor's reputation for high-quality power semiconductor solutions.